BD681 | STMicroelectronics
Bipolartransistor, NPN, 4 A, 100 V, THT, TO-126, BD681
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Komplementär-Transistor, BD681, STMicroelectronics
Dieses Produkt ist für lineare und schaltende Industrieanlagen geeignet.
Features
- Gute Linearität
- Hohe Frequenz
- Monolithische Darlington-Konfiguration mit integrierter antiparalleler Kollektor-Emitter-Diode
Technische Daten
Filter | Merkmal | Wert |
---|---|---|
min. Temperatur | -65 °C | |
Gehäuse | TO-126 | |
Kollektorstrom | 4 A | |
Verlustleistung VA (AC) | 40 W | |
Min Gleichstromverstärkung | 750 mA | |
Montage | THT | |
Nennstrom | 4 A | |
Transitfrequenz fTmin | 1 MHz | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 100 V | |
Ausführung | NPN | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 100 V |
Download
Logistik
Merkmal | Wert |
---|---|
Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Ursprungsland | CN |
Compliance
Merkmal | Wert |
---|---|
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |
RoHS konform | Ja |