FMY1AT148 | Rohm Semiconductor
Bipolartransistor, NPN/PNP, -150 mA, -50 V, SMD, SOT-25, FMY1AT148
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,6783 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 2 Wochen
Verstärkungstransistor, FMY1AT148, Rohm Semiconductor
Bauelement mit zwei Transistoren in ultrakompaktem Gehäuse, geeignet für verschiedene Anwendungen wie Vorverstärker-Differenzverstärkerschaltung, Hochfrequenzoszillator, Treiber-IC usw.
Features
- Ultrakompakter komplexer Bipolartransistor
- Allgemeiner Zweck
- Kleines Gehäuse für Oberflächenmontage
- Pb-frei/RoHS-konform
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Max Gleichstromverstärkung | 560 mA | |
| Montage | SMD | |
| Transitfrequenz fTmin | 180 MHz | |
| Ausführung | NPN/PNP | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -60 V | |
| Min Gleichstromverstärkung | 120 mA | |
| Kollektorstrom | -150 mA | |
| Gehäuse | SOT-25 | |
| Verlustleistung VA (AC) | 300 mW | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -50 V |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85419000 |
| MSL | MSL 1 |
| Ursprungsland | PH |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Nein |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |
| SVHC frei | Ja |