N25S818HAT21IT | onsemi
SRAM, 256 Kbit, TSSOP-8, onsemi N25S818HAT21IT
EEPROM-Speicher, N25S818HAT21IT, onsemi
Das serielle SRAM-Baustein von onsemi umfasst einen integrierten Speicherbaustein mit einem seriell zugänglichen statischen Direktzugriffsspeicher (SRAM) mit einer Kapazität von 256 kB, der intern in 32 k Wörter à 8 Bit organisiert ist. Der Baustein wurde unter Verwendung fortschrittlicher CMOS-Technologie entwickelt und hergestellt, um sowohl eine hohe Geschwindigkeit als auch einen geringen Stromverbrauch zu gewährleisten. Der Baustein arbeitet mit einem einzigen Chip-Select-Eingang (CS) und verwendet einen einfachen seriellen SPI-Bus (Serial Peripheral Interface). Für den Zugriff auf die Daten innerhalb des Bausteins wird eine einzige Daten-Ein- und Daten-Aus-Leitung zusammen mit einem Takt verwendet. Der Baustein N25S818HAT21IT verfügt über einen HOLD-Pin, mit dem die Kommunikation mit dem Baustein unterbrochen werden kann. Während der Unterbrechung werden Eingangsübergänge ignoriert.
Features
- Einfache Speichersteuerung
- Flexible Betriebsmodi
- Selbstgesteuerter Schreibzykluss
- Integrierter Schreibschutz (CS High)
- HOLD-Pin zum Anhalten der Kommunikation
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | TSSOP-8 | |
| Montage | SMD | |
| Speichergröße | 256 Kbit | |
| Spannung | 1,7-1,95 V | |
| Taktfrequenz | 16 MHz | |
| Technologie | SRAM | |
| min. Temperatur | -40 °C | |
| max. Temperatur | 85 °C |
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | TW |
| Zolltarifnummer | 85423275 |
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |