NSVRB751S40T1G | onsemi
NSVRB751S40T1G
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Diode, NSVRB751S40T1G, ON Semiconductor
Diese Schottky-Barrieredioden sind für schnelle Schaltanwendungen, Schaltungsschutz und Spannungsklemmung ausgelegt. Die extrem niedrige Vorwärtsspannung reduziert Leitungsverluste. Das oberflächenmontierbare Miniaturgehäuse eignet sich hervorragend für handgehaltene und tragbare Anwendungen, bei denen der Platz begrenzt ist.
Technische Daten
| Anzahl der Dioden | 1 | |
| Ausführung | Schottky-Gleichrichterdiode | |
| Bauform | SMD | |
| Durchlassstrom | 30 mA | |
| Gehäuse | SOD-523 | |
| Kapazität | 2.5 pF | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Spannung V RRM (Spitzensperrspannung) | 40 V | |
| Sperrschichttemperatur (max.) | 150 °C | |
| Sperrschichttemperatur (min.) | -55 °C |
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Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85411000 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
