1N5822 | onsemi
DIODE 1N5822
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Schottky-Diode, 1N5822, onsemi
Dieser axiale Bleigleichrichter nutzt das Schottky-Barriere-Prinzip in einer großflächigen Metall-Silizium-Leistungsdiode. Die hochmoderne Geometrie zeichnet sich durch ein verchromtes Barrieremetall, eine epitaktische Konstruktion mit Oxidpassivierung und einen Metallüberlappungskontakt aus. Ideal geeignet für den Einsatz als Gleichrichter in Niederspannungs-Hochfrequenz-Wechselrichtern, Freilaufdioden und Polaritätsschutzdioden.
Features
- Extrem niedrige Durchlassspannung
- Geringere Verlustleistung, hoher Wirkungsgrad
- Geringe gespeicherte Ladung, Majoritätsladungsträgerleitung
Technische Daten
| Anzahl der Dioden | 1 | |
| Ausführung | Schottky-Gleichrichterdiode | |
| Bauform | axial | |
| Durchlassstrom | 3 A | |
| Gehäuse | DO-201AD | |
| max. Temperatur | 125 °C | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | THT | |
| Spannung V RRM (Spitzensperrspannung) | 40 V | |
| Sperrschichttemperatur (max.) | 125 °C | |
| Sperrschichttemperatur (min.) | -65 °C | |
| Stoßspitzensperrspannung V RMS | 48 V |
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Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85411000 |
| Originalverpackung | Ammopack mit 1.700 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
