H11D1M | onsemi
Optokoppler Fototrans.Outp BVCEO= 300 VH11D1M
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Fototransistor, H11D1M, ON Semiconductor
Der H11D1M ist ein optisch gekoppelter Phototransistor-Optoisolator. Eine Galliumarsenid-Infrarot-Emitterdiode ist mit einem Hochspannungs-NPN-Silizium-Fototransistor gekoppelt. Der Baustein wird in einem Standard-Kunststoff-Sechspin-Dual-in-Line-Gehäuse geliefert.
Applications
- Stromversorgungsregler
- Digitale Logikeingänge
- Mikroprozessor-Eingänge
- Geräte-Sensorsysteme
- Industrielle Steuerungen
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 100 °C | |
| Ausgangsstrom | 80 mA | |
| Isolationsspannung | 7.5 kV | |
| Anstiegszeit | 5 s | |
| Gehäuse | PDIP-6 | |
| Montage | THT | |
| Abfallzeit | 5 s |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | TH |
| Zolltarifnummer | 85414900 |
| Originalverpackung | Bulk mit 50 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |