FDMT80040DC | onsemi
onsemi N-Kanal Dual Cool Power Trench MOSFET, 40 V, 420 A, DualCool88, FDMT80040DC
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Strom Graben, FDMT80040DC, onsemi
Der FDMT80040DC wird in einem fortschrittlichen PowerTrench-Prozess hergestellt. Fortschritte in der Silizium- und Dual CoolTM-Gehäusetechnologie wurden kombiniert, um den niedrigsten rDS(on) zu bieten und gleichzeitig eine exzellente Schaltleistung durch einen extrem niedrigen Übergangswiderstand zur Umgebung zu gewährleisten.
Features
- Fortschrittliche Gehäuse- und Siliziumkombination für niedrigen rDS(on) und hohen Wirkungsgrad
- Verbesserte Körperdiodentechnologie der nächsten Generation
- Entwickelt für sanfte Erholung
- RoHS-konform
Anwendungen
- Oring FET / Lastschalter
- Synchrone Gleichrichtung
- DC-DC-Wandlung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | SMD | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 0.56 mΩ | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.41x10<sup>-7</sup> C | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Spannung | 40 V | |
| Gehäuse | DualCool88 | |
| max. Strom | 420 A |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| MSL | MSL 3 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |