FGHL50T65SQDT | onsemi
IGBT, 650 V, 50 A, TO-247, onsemi FGHL50T65SQDT
Bestellnr.: 26S9091
HTN:
FGHL50T65SQDT
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Feldanschlag Graben IGBT, FGHL50T65SQDT, ON Semiconductor
Field Stop IGBTs der 4. Generation bieten die optimale Leistung für Solarwechselrichter, USV, Schweißgeräte, Telekommunikations-, ESS- und PFC-Anwendungen, bei denen niedrige Leitungs- und Schaltverluste entscheidend sind.
Features
- Hohe Strombelastbarkeit
- Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb
- Hohe Eingangsimpedanz
- Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175°C
Anwendungen
- Solarwechselrichter
- UPS, ESS
- PFC
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Montage | THT | |
| Ausführung | Einfach | |
| Verlustleistung VA (AC) | 268 W | |
| Gehäuse | TO-247 | |
| Schaltverlust b. Einschalten Eon typ. | 0.091 J | |
| max. Spannung | 650 V | |
| Sättigungsspannung | 1.47 V | |
| max. Strom | 50 A | |
| Schaltverlust b. Ausschalten Eoff typ. | 0.223 J |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Originalverpackung | Stange mit 30 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |