FGHL50T65SQDT | onsemi
IGBT, 650 V, 50 A, TO-247, onsemi FGHL50T65SQDT
Bestellnr.: 26S9091
HTN:
FGHL50T65SQDT
Einzelpreis (€ / Stk.)
7,1400 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 2 Wochen
Gesamtpreis:
71,40 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Zwischenverkauf vorbehalten
10 Stk.
7,1400 €
Feldanschlag Graben IGBT, FGHL50T65SQDT, ON Semiconductor
Field Stop IGBTs der 4. Generation bieten die optimale Leistung für Solarwechselrichter, USV, Schweißgeräte, Telekommunikations-, ESS- und PFC-Anwendungen, bei denen niedrige Leitungs- und Schaltverluste entscheidend sind.
Features
- Hohe Strombelastbarkeit
- Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb
- Hohe Eingangsimpedanz
- Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175°C
Anwendungen
- Solarwechselrichter
- UPS, ESS
- PFC
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | TO-247 | |
| max. Strom | 50 A | |
| Schaltverlust b. Einschalten Eon typ. | 0.091 J | |
| Verlustleistung VA (AC) | 268 W | |
| max. Spannung | 650 V | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Schaltverlust b. Ausschalten Eoff typ. | 0.223 J | |
| Ausführung | Einfach | |
| Montage | THT | |
| Sättigungsspannung | 1.47 V |
Download
Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Stange mit 30 Stück |
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |