FGHL40T65MQD | onsemi
IGBT, 650 V, 40 A, TO-247, onsemi FGHL40T65MQD
Bestellnr.: 26S9090
HTN:
FGHL40T65MQD
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Feldanschlag Graben IGBT, FGHL40T65MQD, ON Semiconductor
Feldstopp IGBT-Technologie der 4. Generation mit mittlerer Geschwindigkeit und Copak-Dioden-Technologie mit vollem Nennstrom.
Features
- Hohe Strombelastbarkeit
- Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb
- Sanftes & optimiertes Schalten
- Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175°C
Anwendungen
- Solarwechselrichter
- UPS, ESS
- PFC, Wandler
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Montage | THT | |
| Ausführung | Einfach | |
| Gehäuse | TO-247 | |
| Schaltverlust b. Einschalten Eon typ. | 0.86 J | |
| max. Spannung | 650 V | |
| Sättigungsspannung | 1.45 V | |
| max. Strom | 40 A | |
| Schaltverlust b. Ausschalten Eoff typ. | 0.52 J |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Originalverpackung | Stange mit 30 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |