BYW80-200G | onsemi
DIODE BYW80-200
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Dioden Reihe BYW.
Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): BYW80-200, TO220, ON Semiconductor
Technische Daten
Filter | Merkmal | Wert |
---|---|---|
Gehäuse | TO-220 | |
Stoßspitzensperrspannung V RMS | 200 V | |
Spannung V RRM (Spitzensperrspannung) | 200 V | |
Sperrschichttemperatur (min.) | -65 °C | |
Durchlassstrom | 8 A | |
min. Temperatur | -65 °C | |
max. Temperatur | 175 °C | |
Montage | THT | |
Ausführung | Schalt-Diode | |
Sperrschichttemperatur (max.) | 175 °C |
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Logistik
Merkmal | Wert |
---|---|
Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85411000 |
Compliance
Merkmal | Wert |
---|---|
RoHS konform | Ja |
SVHC frei | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |