BYW80-200G | onsemi
DIODE BYW80-200
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Dioden Reihe BYW.
Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): BYW80-200, TO220, ON Semiconductor
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | TO-220 | |
| Stoßspitzensperrspannung V RMS | 200 V | |
| Spannung V RRM (Spitzensperrspannung) | 200 V | |
| Sperrschichttemperatur (min.) | -65 °C | |
| Durchlassstrom | 8 A | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Montage | THT | |
| Ausführung | Schalt-Diode | |
| Sperrschichttemperatur (max.) | 175 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
| Zolltarifnummer | 85411000 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |