TIP111G | onsemi

Name: Bipolartransistor, NPN, 2 A, 80 V, THT, TO-220, TIP111G
Brand: onsemi
SKU: 25S3019
Availability: InStock

Bipolartransistor, NPN, 2 A, 80 V, THT, TO-220, TIP111G

Bestellnr.: 25S3019

EAN: 4099879029805

HTN:

TIP111G

Herstellerserien: TIP

Abbildung kann abweichen

Wichtige Spezifikationen:

Montage THT

Gehäuse TO-220

Ausführung NPN

Sättigungsspannung 2.5 V

Kollektorstrom 2 A

Einzelpreis (€ / Stk.)

0,357 € *

Sofort verfügbar: 8 Stk.

Lieferzeit ab Hersteller: Auf Anfrage **

Gesamtpreis:

0,36 € *

*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

**Zwischenverkauf vorbehalten

Produktbeschreibung

Er wurde für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen mit niedriger Geschwindigkeit entwickelt.

Features

Technische Daten

	Ausführung	NPN
	Gehäuse	TO-220
	max. Temperatur	150 °C
	max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo	80 V
	max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo	80 V
	min. Temperatur	-65 °C
	Montage	THT
	Nennstrom	2 A
	Sättigungsspannung	2.5 V
	Transitfrequenz fTmin	4 MHz
	Verlustleistung VA (AC)	50 W
	Kollektorstrom	2 A
	Min Gleichstromverstärkung	500 mA