PUMH10,115 | NEXPERIA
Bipolartransistor, NPN, 100 mA, 50 V, SMD, SOT-363, PUMH10,115
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NPN-Widerstand, PUMH10,115, NEXPERIA
NPN/NPN-Doppelwiderstandstransistor (RET) in einem sehr kleinen SOT363 (SC-88) oberflächenmontierten Kunststoffgehäuse.
Features
- Eingebauter Vorspannungswiderstand
- Vereinfachtes Schaltungsdesign
- Reduziert die Anzahl der Komponenten
- Reduziert die Kosten für Kommissionierung und Platzierung
Anwendungen
- Peripherietreiber mit niedrigem Stromverbrauch
- Kontrolle der IC-Eingänge
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | SOT-363 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 50 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 50 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | SMD | |
| Sättigungsspannung | 100 mV | |
| Transitfrequenz fTmin | 230 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.3 W | |
| Kollektorstrom | 100 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 100 mA |
Download
Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |
| SVHC frei | Ja |
