PUMB9,115 | NEXPERIA
Bipolartransistor, PNP, -100 mA, -50 V, SMD, SOT-363, PUMB9,115
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PNP-Widerstand, PUMB9,115, NEXPERIA
PNP/PNP-Doppelwiderstandstransistoren (RET) in einem sehr kleinen SMD-Kunststoffgehäuse SOT363 (SC-88) mit Oberflächenmontage.
Features
- Eingebauter Vorspannungswiderstand
- Vereinfachtes Schaltungsdesign
- Reduziert die Anzahl der Komponenten
- Reduziert die Kosten für Kommissionierung und Platzierung
- AEC-Q101 qualifiziert
Anwendungen
- Peripherie-Treiber mit niedrigem Strom
- Kontrolle der IC-Eingänge
Technische Daten
| Transitfrequenz fTmin | 180 MHz | |
| Kollektorstrom | -100 mA | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -50 V | |
| Ausführung | PNP | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.3 W | |
| Min Gleichstromverstärkung | 100 mA | |
| Montage | SMD | |
| Gehäuse | SOT-363 | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -50 V | |
| Sättigungsspannung | -100 mV | |
| min. Temperatur | -65 °C |
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Logistik
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |
| RoHS konform | Ja |