PMBT2369,215 | NEXPERIA
Bipolartransistor, NPN, 200 mA, 15 V, SMD, SOT-363, PMBT2369,215
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NPN-Schalttransistor, PMBT2369,215, NXP
NPN-Schalttransistor in einem SOT23-Kunststoffgehäuse.
Features
- Niedriger Strom (max. 200 mA)
- Niederspannung (max. 15 V)
Anwendungen
- Hochgeschwindigkeitsschaltung, insbesondere in tragbaren Geräten
Technische Daten
| min. Temperatur | -65 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 40 V | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 15 V | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.25 W | |
| Max Gleichstromverstärkung | 120 mA | |
| Nennstrom | 200 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 40 mA | |
| Transitfrequenz fTmin | 500 MHz | |
| Kollektorstrom | 200 mA | |
| Gehäuse | SOT-363 | |
| Sättigungsspannung | 250 mV | |
| Ausführung | NPN | |
| Montage | SMD |
Download
Logistik
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | MY |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |