PDTA124TT,215 | NEXPERIA
Bipolartransistor, PNP, -50 V, SMD, TO-263AB, PDTA124TT,215
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Mit einem PNP-Widerstand ausgestatteter Transistor, PDTA124TT,215, NXP
Mit einem PNP-Widerstand bestückter Transistor (siehe "Vereinfachte Darstellung, Symbol und Pinning" für Gehäuse-Details).
Features
- Eingebauter Vorspannungswiderstand
- Vereinfachtes Schaltungsdesign
- Reduzierung der Komponentenanzahl
- Geringere Kosten für Bestückung
Technische Daten
| Ausführung | PNP | |
| Gehäuse | TO-263AB | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -50 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -50 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | SMD | |
| Sättigungsspannung | -150 mV | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.25 W | |
| Min Gleichstromverstärkung | 100 mA |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
