PBSS9110Z,135 | NEXPERIA
Bipolartransistor, PNP, -1 A, -100 V, SMD, TO-261, PBSS9110Z,135
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PNP-Transistor, PBSS9110Z,135, NEXPERIA
PNP-Transistor mit niedriger VCEsat, Durchbruch in der Kleinsignaltechnik (BISS) in einem kleinen SMD-Kunststoffgehäuse (SOT223 (SC-73)).
Features
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Hohe Kollektorstromfähigkeit
- Höherer Wirkungsgrad führt zu geringerer Wärmeentwicklung
- Geringere erforderliche Leiterplattenfläche (PCB)
- AEC-Q101 qualifiziert
Anwendungen
- Automobilanwendungen
- Hochspannungsmotorsteuerung
- Hochspannungs-Leistungsschalter
Technische Daten
| Ausführung | PNP | |
| Gehäuse | TO-261 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -120 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -100 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | SMD | |
| Sättigungsspannung | -320 mV | |
| Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.65 W | |
| Kollektorstrom | -1 A | |
| Max Gleichstromverstärkung | 450 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 150 mA |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 4.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |
| SVHC frei | Ja |
