PBSS4350T,215 | NEXPERIA
Bipolartransistor, NPN, 2 A, 50 V, SMD, SOT-23, PBSS4350T,215
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,0857 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 8 Wochen
Gesamtpreis:
1.028,16 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Zwischenverkauf vorbehalten
12000 Stk.
0,0857 €
NPN-Transistor, PBSS4350T,215, NEXPERIA
NPN-Transistor mit niedriger VCEsat in einem kleinen oberflächenmontierten SOT23 (TO-236AB)-Kunststoffgehäuse (SMD).
Features
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Hohe Kollektorstromfähigkeit
- Hohe Kollektorstromverstärkung
- Verbesserte Effizienz durch geringere Wärmeentwicklung
Anwendungen
- Anwendungen zur Energieverwaltung
- Batterieladegeräte
- Schaltung der Versorgungsleitung
- DC/DC-Wandler für kleine und mittlere Leistungen
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Kollektorstrom | 2 A | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 50 V | |
| Ausführung | NPN | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.3 W | |
| Montage | SMD | |
| Sättigungsspannung | 260 mV | |
| Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
| Min Gleichstromverstärkung | 300 mA | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 50 V | |
| min. Temperatur | -65 °C |
Download
Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |
| RoHS konform | Ja |