PBSS4350T,215 | NEXPERIA

Bipolartransistor, NPN, 2 A, 50 V, SMD, SOT-23, PBSS4350T,215

Bestellnr.: 29S1060
EAN: 4099879030771
HTN:
PBSS4350T,215
Herstellerserien: PBSS
PBSS4350T,215 NEXPERIA Bipolar Transistoren
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NPN-Transistor, PBSS4350T,215, NEXPERIA

NPN-Transistor mit niedriger VCEsat in einem kleinen oberflächenmontierten SOT23 (TO-236AB)-Kunststoffgehäuse (SMD).

Features

  • Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
  • Hohe Kollektorstromfähigkeit
  • Hohe Kollektorstromverstärkung
  • Verbesserte Effizienz durch geringere Wärmeentwicklung

Anwendungen

  • Anwendungen zur Energieverwaltung
  • Batterieladegeräte
  • Schaltung der Versorgungsleitung
  • DC/DC-Wandler für kleine und mittlere Leistungen
Technische Daten
Transitfrequenz fTmin 100 MHz
Kollektorstrom 2 A
max. Temperatur 150 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo 50 V
Ausführung NPN
Verlustleistung VA (AC) 0.3 W
Min Gleichstromverstärkung 300 mA
Montage SMD
Gehäuse SOT-23
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo 50 V
Sättigungsspannung 260 mV
min. Temperatur -65 °C
Logistik
Originalverpackung Rolle mit 3.000 Stück
Zolltarifnummer 85412900
Compliance
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 08.06.11
RoHS konform Ja