PBSS4160T,215 | NEXPERIA

Bipolartransistor, NPN, 900 mA, 60 V, SMD, SOT-23, PBSS4160T,215

Bestellnr.: 29S1053
EAN: 4099879030740
HTN:
PBSS4160T,215
Herstellerserien: PBSS
PBSS4160T,215 NEXPERIA Bipolar Transistoren
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NPN-Transistor, PBSS4160T,215, NEXPERIA

NPN-Transistor mit niedriger VCEsat in einem SOT23-Kunststoffgehäuse.

Features

  • Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
  • Hohe Kollektorstromfähigkeit
  • Hoher Wirkungsgrad, geringere Wärmeentwicklung
  • Reduziert die benötigte Fläche der Leiterplatte

Anwendungen

  • Telekommunikationsinfrastruktur
  • Industriell
  • Automotive 42 V Leistung
Technische Daten
Transitfrequenz fTmin 220 MHz
Kollektorstrom 900 mA
max. Temperatur 150 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo 60 V
Ausführung NPN
Nennstrom 1 A
Verlustleistung VA (AC) 0.27 W
Min Gleichstromverstärkung 250 mA
Montage SMD
Gehäuse SOT-23
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo 80 V
Sättigungsspannung 110 mV
min. Temperatur -65 °C
Logistik
Originalverpackung Rolle mit 3.000 Stück
Zolltarifnummer 85412900
Ursprungsland CN
Compliance
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 08.06.11
RoHS konform Ja