PBSS4160T,215 | NEXPERIA

Bipolartransistor, NPN, 900 mA, 60 V, SMD, SOT-23, PBSS4160T,215

Bestellnr.: 29S1053
EAN: 4099879030740
HTN:
PBSS4160T,215
Herstellerserien: PBSS
PBSS4160T,215 NEXPERIA Bipolar Transistoren
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NPN-Transistor, PBSS4160T,215, NEXPERIA

NPN-Transistor mit niedriger VCEsat in einem SOT23-Kunststoffgehäuse.

Features

  • Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
  • Hohe Kollektorstromfähigkeit
  • Hoher Wirkungsgrad, geringere Wärmeentwicklung
  • Reduziert die benötigte Fläche der Leiterplatte

Anwendungen

  • Telekommunikationsinfrastruktur
  • Industriell
  • Automotive 42 V Leistung
Technische Daten
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo 80 V
Gehäuse SOT-23
Nennstrom 1 A
Sättigungsspannung 110 mV
Kollektorstrom 900 mA
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo 60 V
min. Temperatur -65 °C
max. Temperatur 150 °C
Verlustleistung VA (AC) 0.27 W
Montage SMD
Min Gleichstromverstärkung 250 mA
Ausführung NPN
Transitfrequenz fTmin 220 MHz
Logistik
Originalverpackung Rolle mit 3.000 Stück
Zolltarifnummer 85412900
Ursprungsland CN
Compliance
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 08.06.11