PBSS4160DPN,115 | NEXPERIA
Bipolartransistor, NPN/PNP, 0.87 A, 60 V, SMD, SOT-457, PBSS4160DPN,115
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NPN/PNP-Transistor, PBSS4160DPN,115, NEXPERIA
NPN/PNP-Transistorpaar mit niedriger VCEsat für kleine Signale (BISS) in einem SOT457 (SC-74)-Kunststoffgehäuse für oberflächenmontierte Bauteile (SMD).
Features
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Hohe Kollektorstromfähigkeit
- Hohe Kollektorstromverstärkung
- Hohe Effizienz durch geringere Wärmeentwicklung
Anwendungen
- Automobilanwendungen
- Zwei Schalter mit niedriger Leistung
- Halb- und Vollbrückenmotortreiber
- Komplementärer MOSFET-Treiber
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Ausführung | NPN/PNP | |
| Kollektorstrom | 0.87 A | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Transitfrequenz fTmin | 220 MHz | |
| Montage | SMD | |
| Min Gleichstromverstärkung | 250 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 60 V | |
| Gehäuse | SOT-457 |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |