PBSS305ND,115 | NEXPERIA
Bipolartransistor, NPN, 1 A, 100 V, SMD, SOT-457, PBSS305ND,115
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NPN-Transistor, PBSS305ND,115, NEXPERIA
NPN-Transistor mit niedriger VCEsat, bahnbrechend in der Kleinsignaltechnik (BISS), in einem SOT457 (SC-74)-Kunststoffgehäuse für kleine oberflächenmontierte Bauteile (SMD).
Features
- Hohe Kollektorstromfähigkeit
- Hohe Kollektorstromverstärkung
- Hohe Effizienz durch geringere Wärmeentwicklung
Anwendungen
- Automobilanwendungen
- Dünnfilmtransistor (TFT)-Hintergrundbeleuchtungsinverter
- Hochspannungs-Leistungsschalter
- Hochspannungsmotorsteuerung
Technische Daten
| min. Temperatur | -65 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 100 V | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 100 V | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.36 W | |
| Min Gleichstromverstärkung | 170 mA | |
| Transitfrequenz fTmin | 140 MHz | |
| Kollektorstrom | 1 A | |
| Gehäuse | SOT-457 | |
| Sättigungsspannung | 120 mV | |
| Ausführung | NPN | |
| Montage | SMD |
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Logistik
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |