IXFR64N50Q3 | Littelfuse

Littelfuse N-Kanal HiPerFET Power MOSFET, 500 V, 45 A, TO-247I, IXFR64N50Q3

Bestellnr.: 74P1079
EAN: 4099891779443
HTN:
IXFR64N50Q3
Herstellerserien: Q3-Class
Littelfuse
default L
Abbildung kann abweichen
Einzelpreis (€ / Stk.)
30,4045 € *
Lagerbestand: 0 Stk.
Lieferzeit ab Hersteller: 59 Wochen **
Gesamtpreis:
30,40 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
**Zwischenverkauf vorbehalten
30 Stk.
30,4045 €

MOSFET, IXFR64N50Q3, LITTELFUSE

Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis.

Features

  • Siliziumchip auf Direct-Copper-Bond (DCB) Substrat
  • Isolierte Montagefläche
  • Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
  • Schneller intrinsischer Gleichrichter
  • Niedrige Gehäuse-Induktivität

Anwendungen

  • DC-DC-Wandler
  • Batterieladegeräte
  • Schaltnetzteile und Resonanznetzteile
  • DC-Chopper
  • Temperatur- und Beleuchtungssteuerung
Technische Daten
Ausführung N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 94 mΩ
Gate Charge Qg @10V (nC) 1.45x10<sup>-7</sup> C
Gehäuse TO-247I
max. Spannung 500 V
max. Strom 45 A
max. Temperatur 150 °C
min. Temperatur -55 °C
Montage THT
Verlustleistung W (DC) 500 W
Logistik
Ursprungsland PH
Zolltarifnummer 85411000
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja
Varianten
Verlustleistung W (DC)
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Ausführung
Montage
min. Temperatur
max. Temperatur
Gehäuse
1 Artikel in 2 Varianten
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Artikelbeschreibung
Gesamt
Preisstaffel
Verlustleistung W (DC)
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Ausführung
Montage
min. Temperatur
max. Temperatur
Gehäuse