IXBF55N300 | Littelfuse
IGBT, 3000 V, 34 A, I4-PAK, Littelfuse IXBF55N300
Bestellnr.: 74P0719
EAN: 4099891775841
HTN:
IXBF55N300
Einzelpreis (€ / Stk.)
124,7120 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 39 Wochen
Gesamtpreis:
37.413,60 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Zwischenverkauf vorbehalten
300 Stk.
124,7120 €
IGBT, IXBF55N300, Littelfuse
BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten der Sättigungsspannung und des Durchlassspannungsabfalls der inneren Diode ideal für den Parallelbetrieb. Darüber hinaus dient diese "freie" intrinsische Body-Diode als Schutzdiode, die einen alternativen Pfad für den induktiven Laststrom bietet, wenn das Gerät ausgeschaltet ist, und verhindert, dass hohe Ldi/dt-Spannungstransienten das Gerät beschädigen.
Features
- Hohe Leistungsdichte
- Hochfrequenzbetrieb
- Geringe Leitungsverluste
- MOS-Gate für einfache Ansteuerung einschalten
- Leicht zu montieren
Anwendungen
- Schaltnetzteile und Resonanznetzteile
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
- Laser- und Röntgenstrahlgeräte
- Kondensator-Entladeschaltungen
- Stromkreise für Hochspannungsimpulsgeber
- Hochspannungsprüfgeräte
- AC-Schalter
Technische Daten
| max. Spannung | 3000 V | |
| Gehäuse | I4-PAK | |
| Sättigungsspannung | 3.2 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max. Strom | 34 A | |
| Verlustleistung VA (AC) | 375 W | |
| Montage | THT | |
| Ausführung | Einfach |
Download
Logistik
| Zolltarifnummer | 85411000 |
| Ursprungsland | PH |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |