BUZ21 | International Power Semiconductor
International Power Semiconductor N-Kanal V-MOS Transitor, TO-220, BUZ21
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Transistor, BUZ21, IPS
Dies ist ein N-Kanal-Silizium-Gate-Leistungs-Feldeffekttransistor im Anreicherungsmodus, der für Anwendungen wie Schaltregler, Schaltwandler, Motortreiber, Relaistreiber und Treiber für bipolare Hochleistungs-Schalttransistoren entwickelt wurde, die eine hohe Geschwindigkeit und eine niedrige Gate-Treiberleistung erfordern. Dieser Typ kann direkt von integrierten Schaltungen betrieben werden.
Features
- SOA ist verlustleistungsbegrenzt
- Nanosekunden-Schaltgeschwindigkeiten
- Lineare Übertragungseigenschaften
- Hohe Eingangsimpedanz
- Majority Carrier Gerät
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Montage | THT | |
| Gehäuse | TO-220 |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Bulk mit 100 Stück |
| Ursprungsland | IN |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |