BDT93-T | International Power Semiconductor
Bipolartransistor, NPN, 80 V, THT, TO-220, BDT93-T
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Transistoren Reihe BDT.
Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): BDT93, TO220, IPS
Technische Daten
Ausführung | NPN | |
Gehäuse | TO-220 | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 80 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 80 V | |
Montage | THT | |
Nennstrom | 10 A | |
Transitfrequenz fTmin | 4 MHz |
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Logistik
Ursprungsland | IN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |