BD711 | International Power Semiconductor
Bipolartransistor, NPN, 100 V, THT, TO-220, BD711
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Transistoren Reihe BD.
Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): BD711, TO220
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | TO-220 | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 100 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 100 V | |
| Montage | THT | |
| Nennstrom | 12 A | |
| Transitfrequenz fTmin | 3 MHz |
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Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
