IS66WVH8M8DBLL-100B1LI | Integrated Silicon Solution INC
PSRAM, 64 Mbit, LBGA-24, Integrated Silicon Solution INC IS66WVH8M8DBLL-100B1LI
Bestellnr.: 54S0618
HTN:
IS66WVH8M8DBLL-100B1LI
Einzelpreis (€ / Stk.)
4,6781 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 1 Woche
HyperRAM, IS66WVH8M8DBLL-100B1LI, Integrated Silicon Solution INC
Der IS66WVH8M8DBLL-100B1LI ist ein integriertes Speichergerät mit einem 8-Mbit-Pseudo-Statik-Random-Access-Memory, das ein selbstaktualisierendes DRAM-Array mit einer Größe von 1 Mio. Wörtern à 8 Bit verwendet. Das Gerät unterstützt eine HyperBus-Schnittstelle, Very Low Signal Count (Adresse, Befehl und Daten über 8 DQ-Pins), Hidden Refresh Operation und Automotive Temperature Operation und wurde speziell für Mobil- und Automobilanwendungen entwickelt.
Features
- Chipauswahl
- Lese-/Schreib-Daten-Strobe
- Double-Data Rate (DDR) - zwei Datenübertragungen pro Takt
- Sequentielle Burst-Transaktionen
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | LBGA-24 | |
| Montage | SMD | |
| Speichergröße | 64 Mbit | |
| Spannung | 2,7-3,6 V | |
| Zugriffszeit | 40 s | |
| Taktfrequenz | 100 MHz | |
| Technologie | SRAM | |
| min. Temperatur | -40 °C | |
| max. Temperatur | 85 °C |
Download
Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | TW |
| MSL | MSL 3 |
| Zolltarifnummer | 85423261 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |