IS66WVC4M16ECLL-7010BLI | Integrated Silicon Solution INC

PSRAM, 64 Mbit, VFBGA-54, Integrated Silicon Solution INC IS66WVC4M16ECLL-7010BLI

Bestellnr.: 54S0698
HTN:
IS66WVC4M16ECLL-7010BLI
IS66WVC4M16ECLL-7010BLI Integrated Silicon Solution INC Speicher ICs
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CellularRAM, IS66WVC4M16ECLL-7010BLI, Integrated Silicon Solution INC

Der IS66WVC4M16ECLL-7010BLI ist ein integriertes Speichergerät mit einem 64-Mbit-Pseudo-Statik-Direktzugriffsspeicher, der ein selbstaktualisierendes DRAM-Array mit einer Größe von 4 Millionen Wörtern à 16 Bit verwendet. Das Gerät verfügt über mehrere Energiesparmodi: den Modus „Reduced Array Refresh”, bei dem Daten in einem Teil des Arrays gespeichert bleiben, und den Modus „Temperature Controlled Refresh”. Beide Modi reduzieren den Standby-Stromverbrauch. Das Gerät kann im standardmäßigen asynchronen Modus und im leistungsstarken Burst-Modus betrieben werden. Der Chip verfügt über separate Stromschienen, VDDQ und VSSQ, damit die E/A über eine vom Gerätekern getrennte Stromversorgung betrieben werden können.

Features

  • Mixed Mode unterstützt asynchrone Schreib- und synchrone Lesevorgänge
  • Geringer Stromverbrauch
  • Reduzierte Array-Aktualisierung
  • Temperaturgeregelte Auffrischung
  • Tiefschlafmodus (DPD)
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Gehäuse VFBGA-54
Montage SMD
Speichergröße 64 Mbit
Spannung 1,7-1,95 V
Zugriffszeit 70 s
Technologie SRAM
min. Temperatur -40 °C
max. Temperatur 85 °C
Logistik
Merkmal Wert
Ursprungsland TW
MSL MSL 3
Zolltarifnummer 85423261
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja