IS61WV5128EDBLL-10BLI | Integrated Silicon Solution INC
SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA IS61WV5128EDBLL-10BLI
Hochgeschwindigkeits-asynchroner CMOS-Statik-RAM, IS61WV5128EDBLL-10BLI, Integrated Silicon Solution INC
Der IS61WV5128EDBLL-10BLI ist ein schneller statischer RAM-Speicher mit 4.194.304 Bit, der in 524.288 Wörter à 8 Bit organisiert ist. Er wird unter Verwendung der hochleistungsfähigen CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungsdesigntechniken führt zu einem Gerät mit hoher Leistung und geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (deaktiviert) steht, wechselt das Gerät in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung wird durch die Verwendung der Eingänge Chip Enable und Output Enable (CE und OE) ermöglicht. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers.
Features
- Einzelne Stromversorgung
- Drei Zustandsausgänge
- Temperaturunterstützung für Industrie und Automobilbau
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | TFBGA-36 | |
| Montage | SMD | |
| Speichergröße | 4 Mbit | |
| Spannung | 2,4-3,6 V | |
| Zugriffszeit | 10 s | |
| Technologie | SRAM | |
| min. Temperatur | -40 °C | |
| max. Temperatur | 85 °C |
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | TW |
| MSL | MSL 3 |
| Zolltarifnummer | 85423261 |
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |