IS61WV25616BLL-10BLI | Integrated Silicon Solution INC
SRAM, 4 Mbit, TFBGA-48, Integrated Silicon Solution INC IS61WV25616BLL-10BLI
CMOS statisches RAM, IS61WV25616BLL-10BLI, ISSI
Der IS61WV25616BLL-10BLI ist ein statischer Hochgeschwindigkeits-RAM mit 4.194.304 Bits, der als 262.144 Worte mit 16 Bits organisiert ist. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungsentwurfstechniken führt zu leistungsstarken Geräten mit geringem Stromverbrauch. Wenn CE hoch (abgewählt) ist, geht der Baustein in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung der Chip-Enable- und Output-Enable-Eingänge CE und OE möglich. Die aktive niedrige Schreibfreigabe (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB).
Features
- Einzelnes Netzgerät
- Vollkommen statischer Betrieb: kein Takt oder Refresh erforderlich
- Drei Statusausgänge
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Temperatur | 85 °C | |
| Technologie | SRAM | |
| Montage | SMD | |
| Spannung | 2,4-3,6 V | |
| Speichergröße | 4 Mbit | |
| Zugriffszeit | 10 s | |
| Gehäuse | TFBGA-48 | |
| min. Temperatur | -40 °C |
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Tray mit 480 Stück |
| Zolltarifnummer | 85423231 |
| MSL | MSL 3 |
| Ursprungsland | TW |
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |