IS43R16320F-6TL | Integrated Silicon Solution INC

DRAM, 512 Mbit, TSSOP-66, Integrated Silicon Solution INC IS43R16320F-6TL

Bestellnr.: 54S0452
HTN:
IS43R16320F-6TL
IS43R16320F-6TL Integrated Silicon Solution INC Speicher ICs
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SDRAM, IS43R16320F-6TL, Integrated Silicon Solution INC

Der 512-Mbit-DDR-SDRAM von ISSI erreicht eine hohe Datenübertragungsgeschwindigkeit durch eine Pipeline-Architektur und zwei Datenwortzugriffe pro Taktzyklus. Der 536.870.912-Bit-Speicherarray ist intern in vier Bänken zu je 128 MB organisiert, um gleichzeitige Operationen zu ermöglichen. Die Pipeline ermöglicht praktisch kontinuierliche Lese- und Schreib-Burst-Zugriffe mit der Option, die Bursts zu verketten oder zu kürzen. Die programmierbaren Funktionen für Burst-Länge, Burst-Sequenz und CAS-Latenz bieten weitere Vorteile. Das Gerät ist mit einer Wortgröße von 8 Bit und 16 Bit erhältlich. Eingangsdaten werden an den I/O-Pins an beiden Flanken des/der Daten-Strobe-Signale(s) registriert, während Ausgangsdaten auf beide Flanken des Daten-Strobe und beide Flanken des CLK bezogen sind. Befehle werden an den positiven Flanken des CLK registriert.

Features

  • Bidirektional, Daten-Strobe (DQS) wird mit Daten gesendet/empfangen, um Daten am Empfänger zu erfassen
  • DQS ist bei READs randausgerichtet und bei WRITEs mittig ausgerichtet
  • Differenzielle Takteingänge
  • Vier interne Bänke für den gleichzeitigen Betrieb
  • Automatische Aktualisierung und Selbstaktualisierung Modes
  • Automatische Vorladung
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Gehäuse TSSOP-66
Montage SMD
Speichergröße 512 Mbit
Spannung 2,3-2,7 V
Zugriffszeit 0.7 s
Taktfrequenz 167 MHz
Technologie SDRAM
min. Temperatur 0 °C
max. Temperatur 70 °C
Logistik
Merkmal Wert
Ursprungsland CN
MSL MSL 3
Zolltarifnummer 85423261
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja