IS43R16320F-6TL | Integrated Silicon Solution INC
DRAM, 512 Mbit, TSSOP-66, Integrated Silicon Solution INC IS43R16320F-6TL
NCNR (nicht stornierbar / nicht retournierbar)
SDRAM, IS43R16320F-6TL, Integrated Silicon Solution INC
Der 512-Mbit-DDR-SDRAM von ISSI erreicht eine hohe Datenübertragungsgeschwindigkeit durch eine Pipeline-Architektur und zwei Datenwortzugriffe pro Taktzyklus. Der 536.870.912-Bit-Speicherarray ist intern in vier Bänken zu je 128 MB organisiert, um gleichzeitige Operationen zu ermöglichen. Die Pipeline ermöglicht praktisch kontinuierliche Lese- und Schreib-Burst-Zugriffe mit der Option, die Bursts zu verketten oder zu kürzen. Die programmierbaren Funktionen für Burst-Länge, Burst-Sequenz und CAS-Latenz bieten weitere Vorteile. Das Gerät ist mit einer Wortgröße von 8 Bit und 16 Bit erhältlich. Eingangsdaten werden an den I/O-Pins an beiden Flanken des/der Daten-Strobe-Signale(s) registriert, während Ausgangsdaten auf beide Flanken des Daten-Strobe und beide Flanken des CLK bezogen sind. Befehle werden an den positiven Flanken des CLK registriert.
Features
- Bidirektional, Daten-Strobe (DQS) wird mit Daten gesendet/empfangen, um Daten am Empfänger zu erfassen
- DQS ist bei READs randausgerichtet und bei WRITEs mittig ausgerichtet
- Differenzielle Takteingänge
- Vier interne Bänke für den gleichzeitigen Betrieb
- Automatische Aktualisierung und Selbstaktualisierung Modes
- Automatische Vorladung
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | TSSOP-66 | |
| Montage | SMD | |
| Speichergröße | 512 Mbit | |
| Spannung | 2,3-2,7 V | |
| Zugriffszeit | 0.7 s | |
| Taktfrequenz | 167 MHz | |
| Technologie | SDRAM | |
| min. Temperatur | 0 °C | |
| max. Temperatur | 70 °C |
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85423261 |
| MSL | MSL 3 |
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |