Mobile DDR SDRAM, IS43LR32160C-6BLI, Integrated Silicon Solution INC
Der IS43LR32160C-6BLI ist ein CMOS-Mobile-Double-Data-Rate-Synchronous-DRAM mit 536.870.912 Bits, organisiert in 4 Bänken mit jeweils 4.194.304 Wörtern à 32 Bits. Dieses Produkt nutzt eine Double-Data-Rate-Architektur, um einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb zu erreichen. Die Daten-Ein-/Ausgangssignale werden über einen 32-Bit-Bus übertragen. Die Double Data Rate-Architektur ist im Wesentlichen eine 2N-Prefetch-Architektur mit einer Schnittstelle, die für die Übertragung von zwei Datenwörtern pro Taktzyklus an den E/A-Pins ausgelegt ist. Dieses Produkt bietet einen vollständig synchronen Betrieb, der sich sowohl auf die steigenden als auch auf die fallenden Flanken des Takts bezieht. Die Datenpfade sind intern gepipelinert und werden mit 2n-Bits vorab abgerufen, um eine sehr hohe Bandbreite zu erreichen. Alle Eingangs- und Ausgangsspannungspegel sind mit LVCMOS kompatibel.
Features
- Vier interne Bänke für den gleichzeitigen Betrieb
- Alle Eingänge außer Daten und DM werden an der steigenden Flanke des Systemtakts abgetastet
- Daten-E/A-Transaktion an beiden Flanken des Daten-Strobes
- Bidirektionaler Datenimpuls pro Datenbyte
- Kantenausgerichtete Daten- und Daten-Strobe-Ausgabe
- Zentriert ausgerichtete Daten und Daten-Strobe-Eingang
- Auto & Selbstaktualisierung
- Gleichzeitige automatische Vorladung
