IRLR2905-PBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 55 V, 42 A, TO-252, IRLR2905-PBF
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MOSFET NFET en Reihe IRL.
Typ: IRLR2905, DPAK, International Rectifier
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Strom | 42 A | |
| Verlustleistung W (DC) | 110 W | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 4.4x10<sup>-8</sup> C | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 27 mΩ | |
| Gehäuse | TO-252 | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Montage | SMD | |
| max. Spannung | 55 V |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Stange mit 75 Stück |
| Ursprungsland | MX |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |