IRLML0100TRPBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, SOT-23, IRLML0100TRPBF
Bestellnr.: 54S1055
HTN:
IRLML0100TRPBF
SP001568612
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Leistungs-MOSFET, IRLML0100TRPBF, INFINEON
Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS(Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bausteine sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern.
Features
- Industriestandard Gehäuse für Oberflächenmontage
- Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten
- Weicherer Diodenkörper im Vergleich zur vorherigen Siliziumgeneration
- Standard-Pinout ermöglicht einen einfachen Austausch
- Erhöhte Leistungsdichte
Anwendungen
- Schutz der Batterie
- SMPS
- DC-Schalter
- Lastschalter
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V | 235 mΩ | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 220 mΩ |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
| Ursprungsland | PH |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |