IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, D2PAK, IRFS3306TRLPBF
Bestellnr.: 54S1067
HTN:
IRFS3306TRLPBF
SP001568056
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Leistungs-MOSFET, IRFS3306TRLPBF, INFINEON
Features
- Verbessertes Tor
- Dynamischer dv/dt Wert
- RoHS-konform
- Halogenfrei
- Bleifrei
Anwendungen
- Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in SMPS
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung
- Leistungsschaltung mit hoher Geschwindigkeit
- Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Gehäuse | D2PAK | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 4.2 mΩ | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 0.00000012 C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 800 Stück |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |