IRFB4227PBF | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 200 V, 65 A, TO-220, IRFB4227PBF

Bestellnr.: 31S3229
EAN: 4099879034120
HTN:
IRFB4227PBF
Herstellerserien: IRFB
IRFB4227PBF Infineon Technologies MOSFETs
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MOSFETs, IRFB4227PBF, Infineon Technologies

Der IRFB4227PBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der Verarbeitungstechniken einsetzt, um einen niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche und einen niedrigen E-Wert zu erreichen.

Features

  • Fortschrittliche Prozesstechnologie
  • Optimierte Schlüsselparameter für PDP-Sustain, Energierückgewinnung und Pass-Switch-Anwendungen
  • Niedriger E-Wert zur Reduzierung der Verlustleistung
  • Niedriger Q-Wert für schnelle Reaktion
  • Hohe repetitive Spitzenstromfähigkeit für zuverlässigen Betrieb
  • Kurze Fall- und Anstiegszeiten für schnelles Umschalten
  • Wiederholte Lawinenfähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit

Anwendungen

  • DC-Motoren
  • Batterie-Management-Systeme
  • Wechselrichter
  • DC-DC-Wandler
Technische Daten
max. Spannung 200 V
max. Temperatur 175 °C
min. Temperatur -40 °C
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 24 mΩ
Gehäuse TO-220
max. Strom 65 A
Verlustleistung W (DC) 330 W
Montage THT
Ausführung N-Kanal
Gate Charge Qg @10V (nC) 7x10<sup>-8</sup> C
Logistik
Zolltarifnummer 85412900
Ursprungsland CN
Compliance
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15