IRFB4227PBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 200 V, 65 A, TO-220, IRFB4227PBF
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,9639 € *
Verfügbar in 5 Tagen: 1.070 Stk. - bei Bestellung heute
MOSFETs, IRFB4227PBF, Infineon Technologies
Der IRFB4227PBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der Verarbeitungstechniken einsetzt, um einen niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche und einen niedrigen E-Wert zu erreichen.
Features
- Fortschrittliche Prozesstechnologie
- Optimierte Schlüsselparameter für PDP-Sustain, Energierückgewinnung und Pass-Switch-Anwendungen
- Niedriger E-Wert zur Reduzierung der Verlustleistung
- Niedriger Q-Wert für schnelle Reaktion
- Hohe repetitive Spitzenstromfähigkeit für zuverlässigen Betrieb
- Kurze Fall- und Anstiegszeiten für schnelles Umschalten
- Wiederholte Lawinenfähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit
Anwendungen
- DC-Motoren
- Batterie-Management-Systeme
- Wechselrichter
- DC-DC-Wandler
Technische Daten
max. Spannung | 200 V | |
max. Temperatur | 175 °C | |
min. Temperatur | -40 °C | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 24 mΩ | |
Gehäuse | TO-220 | |
max. Strom | 65 A | |
Verlustleistung W (DC) | 330 W | |
Montage | THT | |
Ausführung | N-Kanal | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 7x10<sup>-8</sup> C |
Download
Logistik
Zolltarifnummer | 85412900 |
Ursprungsland | CN |
Compliance
RoHS konform | Ja |
SVHC frei | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |