IRFB4227PBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 200 V, 65 A, TO-220, IRFB4227PBF
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MOSFETs, IRFB4227PBF, Infineon Technologies
Der IRFB4227PBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der Verarbeitungstechniken einsetzt, um einen niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche und einen niedrigen E-Wert zu erreichen.
Features
- Fortschrittliche Prozesstechnologie
- Optimierte Schlüsselparameter für PDP-Sustain, Energierückgewinnung und Pass-Switch-Anwendungen
- Niedriger E-Wert zur Reduzierung der Verlustleistung
- Niedriger Q-Wert für schnelle Reaktion
- Hohe repetitive Spitzenstromfähigkeit für zuverlässigen Betrieb
- Kurze Fall- und Anstiegszeiten für schnelles Umschalten
- Wiederholte Lawinenfähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit
Anwendungen
- DC-Motoren
- Batterie-Management-Systeme
- Wechselrichter
- DC-DC-Wandler
Technische Daten
| max. Spannung | 200 V | |
| Montage | THT | |
| min. Temperatur | -40 °C | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| max. Strom | 65 A | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 7x10<sup>-8</sup> C | |
| Verlustleistung W (DC) | 330 W | |
| Gehäuse | TO-220 | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 24 mΩ |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |