IRFB3206PBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 60 V, 120 A, TO-220, IRFB3206PBF
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MOSFETs, IRFB3206PBF, Infineon Technologies
Features
- Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit
- Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA
- Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Körperdioden
Anwendungen
- Hohe Effizienz Synchrone Gleichrichtung in SMPS
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung
- Leistungsschaltung mit hoher Geschwindigkeit
- Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen
Technische Daten
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Montage | THT | |
| Verlustleistung W (DC) | 300 W | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.2x10<sup>-7</sup> C | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 3 mΩ | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Strom | 120 A | |
| max. Spannung | 60 V | |
| Gehäuse | TO-220 |
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Logistik
| Originalverpackung | Stange mit 100 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |