IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal CoolMOSC7 Power Transistor, 600 V, 13 A, TO-247, IPW60R180C7XKSA1
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MOSFETs, IPW60R180C7XKSA1, Infineon Technologies
Der IPW60R180C7XKSA1 ist ein Hochspannungs-MOSFET, der nach dem Super-Junction-Prinzip konstruiert ist.
Features
- Geeignet für hartes und weiches Schalten
- Erhöhte MOSFET dv/dt-Robustheit
- Qualifiziert für industrielle Anwendungen
Anwendungen
- Ladegerät an BordPFC-Stufen und PWM-Stufen für hohe Kraft/ Leistung
- SMPS
- Telekom
- Solar
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 180 mΩ | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.4x10<sup>-8</sup> C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Verlustleistung W (DC) | 68 W | |
| Gehäuse | TO-247 | |
| Montage | THT | |
| max. Strom | 13 A | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Spannung | 600 V | |
| Ausführung | N-Kanal |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| MSL | MSL 1 |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Stange mit 30 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |