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IPT015N10N5ATMA1 | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS5 Power Transistor, 100 V, 300 A, HSOF, IPT015N10N5ATMA1

Bestellnr.: 53S1006
EAN: 4099879034670
HTN:
IPT015N10N5ATMA1
SP001227040
Herstellerserien: IPT
Infineon Technologies
IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies MOSFETs
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Wichtige Spezifikationen:
Ausführung N-Kanal
max. Spannung 100 V
max. Strom 300 A
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 2 mΩ
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Einzelpreis (€ / Stk.)
2,5228 € *
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2,5228 €
Produktbeschreibung
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Logistik
Compliance

MOSFETs, IPT015N10N5ATMA1, Infineon Technologies

Der IPT015N10N5ATMA1 ist ein Leistungs-MOSFET, der für Hochstromanwendungen bis zu 300 A wie Gabelstapler oder Elektrofahrzeuge optimiert ist.

Features

  • Ideal für Hochfrequenzschaltungen
  • Ausgezeichnete Torgebühr
  • Sehr niedriger On-Widerstand
  • N-Kanal, Normalespegel

Anwendungen

  • Telekom
  • Server
  • Solar
  • Niedrige Spannungsantriebe
  • Niederspannungsfahrzeuge
  • Adapter
Technische Daten
max. Spannung 100 V
Gate Charge Qg @10V (nC) 1.69x10<sup>-7</sup> C
Verlustleistung W (DC) 375 W
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 2 mΩ
max. Strom 300 A
Ausführung N-Kanal
min. Temperatur -55 °C
max. Temperatur 175 °C
Gehäuse HSOF
Montage SMD
Produkte gleicher technischer Daten 0
Logistik
Zolltarifnummer 85412900
Compliance
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja