IPT015N10N5ATMA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS5 Power Transistor, 100 V, 300 A, HSOF, IPT015N10N5ATMA1
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MOSFETs, IPT015N10N5ATMA1, Infineon Technologies
Der IPT015N10N5ATMA1 ist ein Leistungs-MOSFET, der für Hochstromanwendungen bis zu 300 A wie Gabelstapler oder Elektrofahrzeuge optimiert ist.
Features
- Ideal für Hochfrequenzschaltungen
- Ausgezeichnete Torgebühr
- Sehr niedriger On-Widerstand
- N-Kanal, Normalespegel
Anwendungen
- Telekom
- Server
- Solar
- Niedrige Spannungsantriebe
- Niederspannungsfahrzeuge
- Adapter
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Montage | SMD | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 2 mΩ | |
| Verlustleistung W (DC) | 375 W | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.69x10<sup>-7</sup> C | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Spannung | 100 V | |
| Gehäuse | HSOF | |
| max. Strom | 300 A |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |