IPI045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power Transistor, 100 V, 100 A, PG-TO262-3, IPI045N10N3GXKSA1
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MOSFETs, IPI045N10N3GXKSA1, Infineon Technologies
Features
- N-Kanal
- Ausgezeichnete Torgebühr
- Normalespegel
- Sehr niedriger On-Widerstand
- Ideal für hochfrequentes Schalten und synchrone Gleichrichtung
Anwendungen
- Synchrongleichrichtung für AC-DC SMPS
- Motorsteuerung für 48 V-80 V Systeme
- Isolierte DC-DC-Wandler
- Bedienung von Schaltern und Leistungsschaltern in 48-V-Systemen
- Audioverstärker der Klasse D
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Technische Daten
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Montage | THT | |
| Verlustleistung W (DC) | 214 W | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 8.8x10<sup>-8</sup> C | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 4.5 mΩ | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Strom | 100 A | |
| max. Spannung | 100 V | |
| Gehäuse | PG-TO262-3 |
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Logistik
| Originalverpackung | Stange mit 150 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |