IPD90N06S407ATMA2 | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS T2 Transistor, 60 V, 90 A, TO252-3-11, IPD90N06S407ATMA2

Bestellnr.: 88S9282
HTN:
IPD90N06S407ATMA2
SP001028680
IPD90N06S407ATMA2 Infineon Technologies MOSFETs
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OptiMOS® -T2 Power-Transistor
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Gehäuse TO252-3-11
Ausführung N-Kanal
min. Temperatur -55 °C
Montage SMD
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V 6.9 mΩ
max. Strom 90 A
Gate Charge Qg @10V (nC) 4.3x10<sup>-8</sup> C
max. Spannung 60 V
Verlustleistung W (DC) 79 W
max. Temperatur 175 °C
Logistik
Merkmal Wert
Zolltarifnummer 85412900
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15