IPB090N06N3GATMA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power Transistor, 60 V, 50 A, PG-TO263-3, IPB090N06N3GATMA1
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MOSFETs, IPB090N06N3GATMA1, Infineon Technologies
Features
- N-Kanal
- Ausgezeichnete Torgebühr
- Sehr niedriger On-Widerstand
- Lawine bewertet
Anwendungen
- Synchrone Gleichrichtung
- Solar-Mikro-Wechselrichter
- Isolierte DC-DC-Wandler
- Motorsteuerung für 12-48 V Systeme
- Or-ing Schalter
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Montage | SMD | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Gehäuse | PG-TO263-3 | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 9 mΩ | |
| max. Spannung | 60 V | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 3.6x10<sup>-8</sup> C | |
| Verlustleistung W (DC) | 71 W | |
| max. Strom | 50 A |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 1 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |