IPA65R310CFDXKSA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal CoolMOSCFD2 Power Transistor, 700 V, 11.4 A, PG-TO220-3, IPA65R310CFDXKSA1
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MOSFETs, IPA65R310CFDXKSA1, Infineon Technologies
Der IPA65R310CFDXKSA1 ist ein Hochspannungs-MOSFET, der nach dem Super-Junction-Prinzip entwickelt wurde und eine schnelle und robuste Body-Diode bietet.
Features
- Ultraschnelle Body-Diode
- Sehr hohe Kommutierungsrobustheit
- Äußerst geringe Verluste
- Einfach zu bedienen/fahren
Anwendungen
- Für resonant schaltende PWM
- PC-Silberkasten
- Beleuchtung
- Server und Telekom
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Montage | THT | |
| Verlustleistung W (DC) | 32 W | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 310 mΩ | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max. Strom | 11.4 A | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Gehäuse | PG-TO220-3 | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Spannung | 700 V | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 4.1x10<sup>-8</sup> C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |