IPA60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies
IPA60R160C6XKSA1
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Leistungstransistor, IPA60R160C6XKSA1, Infineon Technologies
Der C6-Baustein bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFET, ohne dabei an Benutzerfreundlichkeit einzubüßen. Extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste machen Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter, leichter und kühler.
Features
- Einfache Steuerung des Schaltverhaltens
- Sehr hohe Kommutierungsrobustheit
- Einfache Bedienung
- Bessere Effizienz bei geringer Last im Vergleich zu C3
- Hervorragende Zuverlässigkeit durch bewährte CoolMOS-Qualität in Kombination mit hoher Body-Dioden-Robustheit
- Effizienter, kompakter, leichter und kühler
Anwendungen
- Adapter
- eMobility
- PFC-Stufen für Server und Telekommunikation
- PC-Leistung
Technische Daten
| Gehäuse | PG-TO220 FullPAK | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 7.5x10<sup>-8</sup> C | |
| Verlustleistung W (DC) | 34 W | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | THT | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 160 mΩ |
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Compliance
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |