IPA037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power Transistor, 80 V, 75 A, PG-TO220-3, IPA037N08N3GXKSA1
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MOSFETs, IPA037N08N3GXKSA1, Infineon Technologies
Features
- Optimierte Technologie für DC/DC-Wandler
- N-Kanal
- Normalespegel
- Lawine bewertet
Anwendungen
- Solar
- Verbraucher
- SMPS
- Telekom
- Server
- PC-Leistung
- LED
- Motorsteuerung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Montage | THT | |
| Verlustleistung W (DC) | 41 W | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 3.7 mΩ | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| max. Strom | 75 A | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Gehäuse | PG-TO220-3 | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Spannung | 80 V | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 8.8x10<sup>-8</sup> C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Stange mit 450 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |