BSZ900N15NS3G | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS Small-Power Transistor, 150 V, 13 A, PG-TSDSON-8, BSZ900N15NS3G
Bestellnr.: 88S7670
HTN:
BSZ900N15NS3G
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,9282 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 1 Woche
OptiMOS 3 Power-Transistor
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | PG-TSDSON-8 | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Verlustleistung VA (AC) | 38 W | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V | 90 mΩ | |
| max. Strom | 13 A | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 5x10<sup>-9</sup> C | |
| max. Spannung | 150 V | |
| max. Temperatur | 150 °C |
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Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |