BSP135 H6327 | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal SIPMOS Small-Signal Transistor, PG-SOT223, BSP135 H6327

Bestellnr.: 54S1047
HTN:
BSP135 H6327
SP001058812
BSP135 H6327 Infineon Technologies MOSFETs
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Signal-Transistor, BSP135 H6327, INFINEON

Anwendungsbereiche sind Einschaltstromversorgung, Überspannungsschutz, Einschaltstrombegrenzung, Off-Line-Spannungsreferenz. Mit einem einzigen Bauteil ist es möglich, einen einfachen Stromregler zu realisieren. Alle Produkte sind für Automotive-Anwendungen geeignet. Um speziellen Anforderungen gerecht zu werden, sind Verarmungs-MOSFETs mit V GS(th)-Anzeige auf der Spule erhältlich.

Features

  • N-Kanal
  • Erschöpfungsmodus
  • Dynamischer dv/dt-Wert
  • Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform
  • Halogenfrei

Anwendungen

  • Automobilindustrie
  • Verbraucher
  • DC-DC
  • eMobilität
  • Onboard-Ladegerät
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
min. Temperatur -55 °C
Montage SMD
max. Temperatur 150 °C
Gehäuse PG-SOT223
Ausführung N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 20 mΩ
Logistik
Merkmal Wert
Originalverpackung Rolle mit 1.000 Stück
Ursprungsland CN
Compliance
Merkmal Wert
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja