BSC016N03LSGATMA1 | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power MOSFET, 30 V, 100 A, PG-TDSON-8, BSC016N03LSGATMA1

Bestellnr.: 88S7263
EAN: 4099879034922
HTN:
BSC016N03LSGATMA1
SP000237663
Herstellerserien: BSC
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MOSFETs, BSC016N03LSGATMA1, Infineon Technologies

Features

  • Schnell schaltender MOSFET für SMPS
  • Optimierte Technologie für DC/DC-Wandler
  • N-Kanal
  • Sehr niedriger On-Widerstand

Anwendungen

  • Ladegerät an Bord
  • Notebook
  • Hauptplatine
  • DC-DC
  • VRD/VRM
  • Motorsteuerung
  • LED
Technische Daten
Verlustleistung W (DC) 125 W
max. Strom 100 A
Gate Charge Qg @10V (nC) 4.7x10<sup>-8</sup> C
max. Temperatur 150 °C
Ausführung N-Kanal
Montage SMD
max. Spannung 30 V
Gehäuse PG-TDSON-8
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 1.6 mΩ
min. Temperatur -55 °C
Logistik
Originalverpackung Rolle mit 1 Stück
Zolltarifnummer 85412900
Compliance
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
RoHS konform Ja