BSC016N03LSGATMA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power MOSFET, 30 V, 100 A, PG-TDSON-8, BSC016N03LSGATMA1
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MOSFETs, BSC016N03LSGATMA1, Infineon Technologies
Features
- Schnell schaltender MOSFET für SMPS
- Optimierte Technologie für DC/DC-Wandler
- N-Kanal
- Sehr niedriger On-Widerstand
Anwendungen
- Ladegerät an Bord
- Notebook
- Hauptplatine
- DC-DC
- VRD/VRM
- Motorsteuerung
- LED
Technische Daten
| max. Spannung | 30 V | |
| Gehäuse | PG-TDSON-8 | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 4.7x10<sup>-8</sup> C | |
| Verlustleistung W (DC) | 125 W | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max. Strom | 100 A | |
| Montage | SMD | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 1.6 mΩ |
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Logistik
| Originalverpackung | Rolle mit 1 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |