AUIRF7640S2TR | Infineon Technologies

Leistungs-MOSFET, AUIRF7640S2TR, INFINEON

Der AUIRF7640S2TR kombiniert die neueste Automotive-HEXFET-Leistungs-MOSFET-Siliziumtechnologie mit der fortschrittlichen DirectFET-Gehäuseplattform, um ein erstklassiges Bauteil für Automotive-Audioverstärkeranwendungen der Klasse D herzustellen. Das DirectFET-Gehäuse ist mit den bestehenden Layout-Geometrien kompatibel, die bei Leistungsanwendungen, Leiterplattenbestückungsgeräten und Dampfphasen-, Infrarot- oder Konvektionslötverfahren verwendet werden. Das DirectFET-Gehäuse ermöglicht eine beidseitige Kühlung zur Maximierung der Wärmeübertragung in Kfz-Leistungssystemen.

Dieser HEXFET-Leistungs-MOSFET optimiert die Gate-Ladung, die Body-Dioden-Sperrerholung und den internen Gate-Widerstand, um wichtige Leistungsfaktoren von Class-D-Audioverstärkern wie Effizienz, THD und EMI zu verbessern. Darüber hinaus bietet die DirectFET-Gehäuseplattform im Vergleich zu herkömmlichen drahtgebundenen SOIC-Gehäusen eine niedrige parasitäre Induktivität und einen niedrigen parasitären Widerstand, was die EMI-Leistung verbessert, da das mit Stromtransienten einhergehende Spannungsschwingen reduziert wird. Diese Eigenschaften machen diesen MOSFET zu einem äußerst wünschenswerten Bauteil in Klasse-D-Audioverstärkern für Fahrzeuge und anderen Hochgeschwindigkeits-Schaltsystemen.

Features

• Fortschrittliche Prozesstechnologie
• Niedriger RDS(Ein) für verbesserte Effizienz
• Niedriger Qg-Wert für besseren Klirrfaktor und höhere Effizienz
• Niedriger Qrr für besseren Klirrfaktor und geringere EMI
• Geringe parasitäre Induktivität für reduziertes Klingeln und geringere EMI