IKW25T120 | Infineon Technologies
IGBT, 1200 V, 50 A, TO-247, Infineon Technologies IKW25T120
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IGBT, IKW25T120, Infineon Technologies
IGBT in TrenchStop- und Fieldstop-Technologie mit weicher, schnell erholender antiparalleler emittergesteuerter HE-Diode.
Features
- Geringe EMI
- Niedrige Gate-Ladung
- Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform
Technische Daten
Filter | Merkmal | Wert |
---|---|---|
max. Spannung | 1200 V | |
Sättigungsspannung | 2.2 V | |
Gehäuse | TO-247 | |
max. Strom | 50 A | |
Verlustleistung VA (AC) | 190 W | |
max. Temperatur | 150 °C | |
Montage | THT | |
min. Temperatur | -40 °C | |
Schaltverlust b. Ausschalten Eoff typ. | 2.2 J | |
Ausführung | einfach | |
Schaltverlust b. Einschalten Eon typ. | 2 J |
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Logistik
Merkmal | Wert |
---|---|
Ursprungsland | PH |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Stange mit 30 Stück |
Compliance
Merkmal | Wert |
---|---|
RoHS konform | Ja |
SVHC frei | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |