IGW40T120FKSA1 | Infineon Technologies
IGBT, 1200 V, 40 A, TO-247, Infineon Technologies IGW40T120FKSA1
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IGBTs, IGW40T120, Infineon Technologies
Der IGW40T120 ist ein Transistor, der aufgrund der Kombination von Trench-Cell- und Fieldstop-Konzept sowohl die statische als auch die dynamische Leistung des Bauelements erheblich verbessert.
Features
- Geringe Schaltverluste
- Niedrige EMI-Emissionen
- Niedrige Gate-Ladung
- Hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten
Anwendungen
- Motorsteuerung und Antriebe
- Lösungen für Solarenergiesysteme
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung (UPS)
Technische Daten
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | THT | |
| min. Temperatur | -40 °C | |
| Schaltverlust b. Einschalten Eon typ. | 5 J | |
| Ausführung | einfach | |
| Verlustleistung VA (AC) | 270 W | |
| max. Strom | 40 A | |
| Schaltverlust b. Ausschalten Eoff typ. | 5.4 J | |
| max. Spannung | 1200 V | |
| Gehäuse | TO-247 | |
| Sättigungsspannung | 2.3 V |
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Logistik
| Originalverpackung | Stange mit 30 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |